logo
  • Dutch
Thuis Productende keramiek van het siliciumcarbide

Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie

Ik ben online Chatten Nu

Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie

Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie
Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie

Grote Afbeelding :  Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie

Productdetails:
Plaats van herkomst: China
Merknaam: ZG
Certificering: CE
Modelnummer: Lidstaten
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1 stuks
Prijs: 10USD/PC
Verpakking Details: Sterke houten doos voor wereldwijde scheepvaart
Levertijd: 7 werkdagen
Betalingscondities: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 1000 stuks

Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie

beschrijving
Markeren:

Waferhouder Silicon Carbide Trays

,

Led-industrie siliciumcarbidebakken

,

ICP etsen van Silicon Carbide Trays

Siliciumcarbide (sic) bakken, als een waferhouder voor Icp etsen proces in led industrie

 

Siliciumcarbide (SiC) is een materiaal met een uitstekende thermische geleidbaarheid, corrosiebestandheid en een lage thermische expansie.Siliciumcarbidebakken hebben een uitstekende corrosiebestendigheidWe leveren veel maten van siliconcarbidebakken en andere SiC-producten.

 

Eigenschappen van materialen:

Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie 0

Productieprocessen:

Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie 1

 

Eigenschappen van siliconcarbidebakken

Samengestelde formule SiC
Moleculair gewicht 40.1
Uiterlijk Zwart
Smeltepunt 2,730° C (4,946° F) (ontbindt)
Dichtheid 30,0 tot en met 3,2 g/cm3
Elektrische weerstand 1 tot en met 4 10x Ω-m
Poisson's ratio 0.15 tegen 0.21
Specifieke warmte 670 tot 1180 J/kg-K


Specificaties voor de siliconcarbidebak

Type Gekristalliseerd SiC Sinterde SiC Reactiegebonden SiC
Reinheid van siliciumcarbide 990,5% 98% > 88%
Max. werktijd. 1650 1550 1300
Bulkdichtheid (g/cm3) 2.7 3.1 > 3
Uiterlijk Porositeit < 15% 2.5 0.1
Buigsterkte (MPa) 110 400 380
Vergroting van de druksterkte (MPa) > 300 2200 2100
Thermische uitbreiding (10^-6/`C) 4.6 (1200 ̊C) 4.0 (< 500 ̊C) 4.4 (< 500 ̊C)
Thermische geleidbaarheid (W/m.K) 35 tot 36 110 65
Hoofdkenmerken Hoge temperatuur, hoge weerstand.
Hoge zuiverheid
Fractuursterkte Chemische weerstand


Voorwaarde voor kenmerken:

  1. Uitstekende warmtegeleiding
  2. Plasmaschokbestendig
  3. Goede temperatuuruitwisseling


Toepassingen van siliciumcarbidebakken

- Siliciumcarbide kan worden toegepast op gebieden als halfgeleiders en coating.
- Onze siliconcarbidebakken worden veel gebruikt in de LED-industrie.

Verpakking van siliciumcarbide

Onze Silicon Carbide Trays worden zorgvuldig behandeld om schade tijdens opslag en transport te minimaliseren en om de kwaliteit van onze producten in hun oorspronkelijke staat te behouden.

 

Kwaliteitscontrole:

Silicon Carbide Sic Trays als waferhouder voor het Icp-etsenproces in de ledindustrie 2

 

Contactgegevens
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Contactpersoon: Daniel

Tel.: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)