Aluminiumnitride, keramische onderdelen

Aluminiumnitride, keramische onderdelen

Dankzij zijn elektrische isolatie-eigenschappen en uitstekende thermische geleidbaarheid zijn aluminiumnitride (AIN) keramiek ideaal voor toepassingen die warmteverlies vereisen.omdat het een thermische uitbreidingscoëfficiënt heeft die dicht bij die van silicium ligt en een uitstekende plasmaweerstand heeft, wordt gebruikt voor componenten van halfgeleiderverwerkingsapparatuur.

Aluminiumnitride (AIN) keramiek vertoont uitzonderlijke kenmerken zoals hieronder vermeld:

• goede mechanische eigenschappen,
• Een hogere buigsterkte dan Al2O3 en BeO-keramiek,
• Hoge temperatuur en corrosiebestendigheid.
• Hoge thermische geleidbaarheid gecombineerd met goede elektrische isolatie eigenschappen.
• Uitzonderlijke stabiliteit bij blootstelling aan grote hoeveelheden gesmolten zouten.
• thermische stabiliteit van ten minste 1500 °C.
• Gunstig mechanische eigenschappen die zich over het hoge temperatuurbereik uitstrekken.
• Lage thermische expansie en weerstand tegen thermische schokken.
• Speciale optische en akoestische kenmerken.

Formatie van de verwerking:

• keramische spuitgietwerk
• Gietwerk voor laagdruk
• koud isostatisch perswerk
• Droge pers
• Tape gieten
• Bewerkingen met behulp van precisiemateriaal

Aluminiumnitride keramische producten:

• Keramische radiatoren van AlN voor systemen met een hoog vermogen
• AlN-kruik, Al-verdampingsbeker en andere onderdelen die bestand zijn tegen corrosie bij hoge temperaturen.
• Direct gebonden koper (DBC) -substraten
• AlN keramische staaf
• ALN Keramische wafels
• ALN-keramisch substraat
• AlN keramische verwarmer
• Aanpassingsvorm

Toepassingen van keramische onderdelen van aluminiumnitride:

• Onderdelen voor halfgeleidertechnologie
• IC-behuizing
• Substraat van thermische modules
• Substraat van transistormodule met hoog vermogen
• Substraat van hoogfrequente apparaten
• exothermische isolatieplaat voor thyristormodules
• met een vermogen van niet meer dan 10 W
• Hybride geïntegreerde module, ontstekingsinrichting module
• Gebruikt bij het sinteren van structurele keramiek.
• AlN Smeltkroes voor het smelten van metalen en elektronische sigaretten
• Geldig voor lichtgevende materialen.
• Op het substraatmateriaal aangebracht

Aluminiumnitride (AlN) heeft een maximale bandgap van 6,2 eV, wat een hogere foto-elektrische conversie-efficiëntie biedt dan indirecte bandgap halfgeleiders.Als belangrijk blauw en ultraviolet luminescerend materiaalAlN wordt gebruikt in UV/diepe UV-LED's, ultraviolette laserdioden en ultraviolette detectoren.en zijn tri- of kwadratische legeringen kunnen een continu afstembare bandkloof bieden van het zichtbare tot diep UV-bereik, waardoor het een belangrijk lichtgevend materiaal met een hoog rendement is.

AlN-kristallen zijn ideale substraten voor GaN, AlGaN en AlN-epitaxiale materialen.en een lagere spanning tussen het substraat en de epitaxiale laagDaarom kan een AlN-kristal als een GaN-epitaxiale substraat de defectdichtheid van het apparaat aanzienlijk verminderen, de prestaties van het apparaat verbeteren en veelbelovende toepassingen hebben bij hoge temperaturen, hoge frequentie,en krachtige elektronische apparaten.

Bovendien, the AlGaN epitaxial material substrate with AlN crystal as the high-Al component can effectively reduce the defect density of the nitride epitaxial layer and significantly improve the performance and lifespan of nitride semiconductor devices.

Gemeenschappelijke specificatie van ALN-keramisch substraat:

Lange en brede: 25,4 mm; 50,8 mm; 63,5 mm; 76,2 mm; 101,6 mm; 114,3 mm; 127 mm; 152,4 mm.

Dikte: 0,25 mm; 0,5 mm; 0,63 mm; 1 mm; 1,5 mm; 2 mm.