logo
  • Dutch
Thuis ProductenTechnische Ceramische Delen

500Um aan Gebaseerde Epi Wafeltje Opgepoetste de Rang mechanische rang van 625Um GaAs

Ik ben online Chatten Nu

500Um aan Gebaseerde Epi Wafeltje Opgepoetste de Rang mechanische rang van 625Um GaAs

500Um aan Gebaseerde Epi Wafeltje Opgepoetste de Rang mechanische rang van 625Um GaAs
500Um aan Gebaseerde Epi Wafeltje Opgepoetste de Rang mechanische rang van 625Um GaAs 500Um aan Gebaseerde Epi Wafeltje Opgepoetste de Rang mechanische rang van 625Um GaAs 500Um aan Gebaseerde Epi Wafeltje Opgepoetste de Rang mechanische rang van 625Um GaAs 500Um aan Gebaseerde Epi Wafeltje Opgepoetste de Rang mechanische rang van 625Um GaAs

Grote Afbeelding :  500Um aan Gebaseerde Epi Wafeltje Opgepoetste de Rang mechanische rang van 625Um GaAs

Productdetails:
Plaats van herkomst: China
Merknaam: ZG
Certificering: CE
Modelnummer: Lidstaten
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1 stuk
Prijs: USD10/piece
Verpakking Details: Sterke houten doos voor het globale verschepen
Levertijd: 3 werkdagen
Betalingscondities: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 10000 Stukken per Maand

500Um aan Gebaseerde Epi Wafeltje Opgepoetste de Rang mechanische rang van 625Um GaAs

beschrijving
Toepassing: micro-elektronica, opto-elektronica en rf-Microgolf Diameter: Ø 3 GaAs“/Ø 4“ wafeltje
Dikte: 500 um~ 625 um Rang: Epi opgepoetste rang/mechanische rang
Markeren:

GaAs Gebaseerd Epi Wafeltje

,

625Um Epi Wafeltje

,

Opgepoetste Rang epiwafer

 

 

GaAs Gebaseerd Epi Wafeltje

 

Wij verstrekken MBE/MOCVD epitaxial groei van douanestructuur op GaAs substraat voor micro-elektronica, opto-elektronica en rf-Microgolftoepassingen, in diameter Ø 3“ aan Ø 4“. Met onze uitgebreide MOCVD ervaring, kunnen wij binaire legering (Lt.-GaAs, helaas) of ternaire legering (AlGaAs, InGaAs, GaAsP, InGaP) op GaAs substraat kweken, singel laag of veelvoudig-laagsuperlattice structuren met superieure kristallijne kwaliteit om aan een verscheidenheid van apparatenbehoeften te voldoen. Onze hoogst deskundige deskundigen kunnen met u werken om uw GaAs epi laagstructuur te ontwerpen en te optimaliseren. Tevreden om ons te contacteren voor meer productinformatie of uw epi laagstructuur te bespreken.

GaAs Gebaseerd Epi Wafeltjevermogen

Onze reactoren worden gevormd voor een verscheidenheid van materiële systemen en procesvoorwaarden. Wij kunnen douaneepitaxy voor een verscheidenheid van apparatentoepassingen verstrekken die van LEDs tot HEMTs gaan.
 

Materieel Vermogen Substraat Wafeltjegrootte
GaAs/GaAs GaAs wafeltje Tot 4 duim
Lt.-GaAs/GaAs GaAs wafeltje Tot 4 duim
Helaas/GaAs GaAs wafeltje Tot 4 duim
InAs/GaAs GaAs wafeltje Tot 4 duim
AlGaAs/GaAs GaAs wafeltje Tot 4 duim
InGaAs/GaAs GaAs wafeltje Tot 4 duim
InGaP/GaAs GaAs wafeltje Tot 4 duim
GaAsP/GaAs GaAs wafeltje Tot 4 duim

 

Optoelectronic toepassingen:

Fotodetectoren, VCSELs, laserdioden, LEDs, SOAs, Golfgeleiders.

Elektronische toepassingen:

FETs, HBTs, HEMTs, dioden, Microgolfapparaten.

 

 

Epi Laagstructuur (HEMT/HBT)

 
De groei MOCVD
Additiefbron P het type/is, n-type/Si
GLB-laag I-GaAs laag
Actieve laag laag n-AlGaAs
Ruimtelaag laag I-AlGaAs
Bufferlaag I-GaAs laag
Substraat Ø 3 GaAs“/Ø 4“ wafeltje

 

Contactgegevens
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Contactpersoon: Daniel

Tel.: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)