|
Productdetails:
|
| Toepassing: | rode, gele, en groene leiden (lichtgevende dioden) | Diameter: | Ø 2“/Ø 3“ |
|---|---|---|---|
| Dikte: | 500 um~ 625 um | Rang: | Epi opgepoetste rang/mechanische rang |
| Markeren: | Het technische Ceramische Wafeltje van Deleninp,Het mechanische Wafeltje van Ranginp,Het Indiumfosfide van het InPwafeltje |
||
InPwafeltje (Indiumfosfide)
Wij verstrekken hoogte - het wafeltje van InP van het kwaliteits enige kristal (Indiumfosfide) aan de micro-electronische (HBT/-HEMT) en opto-electronic industrie (leiden/DWDM/SPELD/VCSELs) in diameter tot 3 duim. Het kristal van het indiumfosfide (InP) wordt gevormd door twee elementen, Indium en Fosfide, de groei door de Vloeistof methode Ingekapselde van Czochralski (LEC) of VGF-methode. Het InPwafeltje is een belangrijk halfgeleidermateriaal wat superieure elektrische en thermische eigenschappen hebben, in vergelijking met siliciumwafeltje en GaAs wafeltje, InP-heeft het wafeltje hogere elektronenmobiliteit, hogere frequentie, lage machtsconsumptie, hoger warmtegeleidingsvermogen en prestaties met geringe geluidssterkte. Wij kunnen epi het klaar wafeltje van ranginp voor uw MOCVD & MBE epitaxial toepassing verstrekken. Tevreden om ons voor meer productinformatie te contacteren.
IIIV Samenstellingswafeltje
Wij verstrekken een brede waaier van samenstellingswafeltje met inbegrip van GaAs wafeltje, Gap-wafeltje, GaSb-wafeltje, InAs-wafeltje, en InP-wafeltje.
Elektro en Smerend Specificatie
Productspecificatie
| De groei | LEC/VGF |
|---|---|
| Diameter | Ø 2“/Ø 3“/Ø 4“ |
| Dikte | 350 um~ 625 um |
| Richtlijn | <100> / <111> / <110> of anderen |
| Van richtlijn | Van 2° aan 10° |
| Oppervlakte | Één partij poetste of twee opgepoetste kanten op |
| Vlakke opties | EJ of SEMI. Norm. |
| TTV | <> |
| Boog/Afwijking | <> |
| Rang | Epi opgepoetste rang/mechanische rang |
| Pakket | Enige wafeltjecontainer |
Contactpersoon: Daniel
Tel.: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196
