logo
  • Dutch
Thuis ProductenTechnische Ceramische Delen

Enige Crystal Polycrystalline-GaAs Arsenide van het Wafeltjegallium voor LD-LEIDENE Microgolfkring

Ik ben online Chatten Nu

Enige Crystal Polycrystalline-GaAs Arsenide van het Wafeltjegallium voor LD-LEIDENE Microgolfkring

Enige Crystal Polycrystalline-GaAs Arsenide van het Wafeltjegallium voor LD-LEIDENE Microgolfkring
Enige Crystal Polycrystalline-GaAs Arsenide van het Wafeltjegallium voor LD-LEIDENE Microgolfkring Enige Crystal Polycrystalline-GaAs Arsenide van het Wafeltjegallium voor LD-LEIDENE Microgolfkring Enige Crystal Polycrystalline-GaAs Arsenide van het Wafeltjegallium voor LD-LEIDENE Microgolfkring Enige Crystal Polycrystalline-GaAs Arsenide van het Wafeltjegallium voor LD-LEIDENE Microgolfkring

Grote Afbeelding :  Enige Crystal Polycrystalline-GaAs Arsenide van het Wafeltjegallium voor LD-LEIDENE Microgolfkring

Productdetails:
Plaats van herkomst: China
Merknaam: ZG
Certificering: CE
Modelnummer: Lidstaten
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1 stuk
Prijs: USD10/piece
Verpakking Details: Sterke houten doos voor het globale verschepen
Levertijd: 3 werkdagen
Betalingscondities: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 10000 Stukken per Maand

Enige Crystal Polycrystalline-GaAs Arsenide van het Wafeltjegallium voor LD-LEIDENE Microgolfkring

beschrijving
Toepassing: het maken van LD, leiden, microgolfkring en zonneceltoepassingen Diameter: Ø 2“/Ø 3“/Ø 4“
Dikte: 350 um~ 625 um Rang: Epi opgepoetste rang/mechanische rang
Markeren:

Polycrystalline GaAs Wafeltje

,

Enig Crystal Gallium Arsenide

,

Galliumarsenide voor LD-leiden

Enig kristal en polycrystalline GaAs wafeltje (Galliumarsenide) voor het maken van LD, leiden, microgolfkring, zonnecel

 

Wij verstrekken zowel enig kristal als polycrystalline GaAs wafeltje (Galliumarsenide) aan opto-elektronica en micro-elektronica de industrie voor het maken van LD, leiden, microgolfkring en zonneceltoepassingen, in diameterwaaier van 2“ aan 4 „. Wij bieden enig die kristalgaas wafeltje aan door twee belangrijke de groeitechnieken LEC en VGF-methode wordt geproduceerd, die ons toestaan om klanten de breedste keus van GaAs materiaal van hoge uniformiteit van elektropropertirs en uitstekende oppervlaktekwaliteit te voorzien. Galliumarsenide kan als baren en opgepoetste wafeltjes, zowel als semi-insulating GaAs wafeltje worden geleverd die leiden, zijn de mechanische rang en epi de klaar rang beschikbaar allen. Wij kunnen GaAs wafeltje met lage EPD-waarde en hoge oppervlaktekwaliteit aanbieden geschikt voor uw MOCVD en MBE toepassingen alstublieft om ons te contacteren voor meer productinformatie.

 

 

GaAs Wafeltjeeigenschap en Toepassing

 

Eigenschap Toepassingsgebied
Hoge elektronenmobiliteit Lichtgevende dioden
Hoge frequentie Laserdioden
Hoge omzettingsefficiency Photovoltaic apparaten
Lage machtsconsumptie De hoge Transistor van de Elektronenmobiliteit
Direct bandhiaat Heterojunction Bipolaire Transistor

 

Productspecificatie

 
De groei LEC/VGF
Diameter Ø 2“/Ø 3“/Ø 4“
Dikte 350 um~ 625 um
Richtlijn <100> / <111> / <110> of anderen
Geleidingsvermogen P - type/N - type/Semi-insulating
Additief Zn/Si/undoped
Oppervlakte Één partij poetste of twee opgepoetste kanten op
Concentratie 1E17 ~ 5E19 cm-3
TTV <>
Boog/Afwijking <>
Rang Epi opgepoetste rang/mechanische rang

 

Enige Crystal Polycrystalline-GaAs Arsenide van het Wafeltjegallium voor LD-LEIDENE Microgolfkring 0

Contactgegevens
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Contactpersoon: Daniel

Tel.: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)