logo
  • Dutch
Thuis ProductenTechnische Ceramische Delen

2um - Technisch Ceramisch de Delensilicium van 300um op Isolatie SOI Wafer

Ik ben online Chatten Nu

2um - Technisch Ceramisch de Delensilicium van 300um op Isolatie SOI Wafer

2um - Technisch Ceramisch de Delensilicium van 300um op Isolatie SOI Wafer
2um - Technisch Ceramisch de Delensilicium van 300um op Isolatie SOI Wafer 2um - Technisch Ceramisch de Delensilicium van 300um op Isolatie SOI Wafer 2um - Technisch Ceramisch de Delensilicium van 300um op Isolatie SOI Wafer 2um - Technisch Ceramisch de Delensilicium van 300um op Isolatie SOI Wafer

Grote Afbeelding :  2um - Technisch Ceramisch de Delensilicium van 300um op Isolatie SOI Wafer

Productdetails:
Plaats van herkomst: China
Merknaam: ZG
Certificering: CE
Modelnummer: Lidstaten
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1 stuk
Prijs: USD10/piece
Verpakking Details: Sterke houten doos voor het globale verschepen
Levertijd: 3 werkdagen
Betalingscondities: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 10000 Stukken per Maand

2um - Technisch Ceramisch de Delensilicium van 300um op Isolatie SOI Wafer

beschrijving
Toepassing: geïntegreerde schakelingen, detector/sensorapparaat, MEMS-vervaardiging, opto-electronic componenten Diameter: Ø 4“/Ø 6“/Ø 8“
Apparatendikte: 2 um~ 300 um Deklaag: Het oxyde en het nitride kunnen aan beide kanten van SOI-wafeltje worden geleverd
Markeren:

SOI Wafer Technical Ceramic Parts

,

2um SOI Wafer

,

300um SOI Wafer

 

SOI Wafer (Silicon-on-Insulator)

 

Wij verstrekken hoogte - kwaliteitssoi wafeltje (Silicon-on-Insulator) voor een verscheidenheid van toepassing met inbegrip van MEMS, Machtsapparaat, Druksensoren en CMOS de vervaardiging van geïntegreerde schakelingen. SOI-het wafeltje verstrekt een potentiële oplossing voor hoge snelheid en het lage apparaat van de machtsconsumptie en als nieuwe oplossing voor hoogspanning en rf-componenten wijd erkend. SOI-het wafeltje is een sandwichstructuur met inbegrip van een apparatenlaag (actieve laag) op bovenkant, een begraven oxydelaag (het isoleren SiO2 laag) in het midden, en een handvatwafeltje (bulksilicium) op de bodem. SOI-de wafeltjes worden geproduceerd door technologie de plakkend van SIMOX te gebruiken en van het wafeltje om dunnere en nauwkeurige apparatenlaag te bereiken en het vereiste met dikteuniformiteit en lage tekortdichtheid te verzekeren. Wij kunnen SOI-wafeltje in diameter 4“ en 8 „van flexibele dikte en brede weerstandsvermogenwaaier voorzien om aan uw unieke SOI-vereisten te voldoen. Contacteer ons voor verdere SOI-productinformations.

 

SOI Wafer Application

 

 

Hoge snelheid ICs ICs op hoge temperatuur
Low-power ICs Zwakstroomics
Microgolfcomponenten Machtsapparaat
MEMS Halfgeleider

 

Productspecificatie

 
Methode Fusie het plakken
Diameter Ø 4“/Ø 6“/Ø 8“
Apparatendikte 2 um~ 300 um
Tolerantie +/- 0,5 um~ 2 um
Richtlijn <100> / <111> / <110> of anderen
Geleidingsvermogen P - type/N - type/Intrinsiek
Additief Borium/Fosforachtig/Antimonium/Arsenicum
Weerstandsvermogen 0,001 ~ 100000 ohm-cm
Oxydedikte um ~ 4 van 500A
Tolerantie +/- 5%
Handvatwafeltje >= um 300
Oppervlakte Dubbele opgepoetste kanten
Deklaag Het oxyde en het nitride kunnen aan beide kanten van SOI-wafeltje worden geleverd
 

 

2um - Technisch Ceramisch de Delensilicium van 300um op Isolatie SOI Wafer 0

Contactgegevens
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Contactpersoon: Daniel

Tel.: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)