Hogere het Wafeltje Uitstekende Diëlektrische Laag van het Uniformiteits Thermische Oxyde als Isolatie

Thermisch Oxydewafeltje, hogere uniformiteit, en hogere diëlektrische sterkte, uitstekende diëlektrische laag als isolatie

De thermische oxyde of van het siliciumdioxyde laag wordt gevormd op naakte siliciumoppervlakte bij opgeheven temperatuur in aanwezigheid van een oxidatiemiddel, wordt het proces genoemd thermische oxydatie. Het thermische oxyde wordt normaal gekweekt in een horizontale buisoven, bij temperatuurwaaier van 900°C ~ 1200°C, gebruikend of een „Natte“ of „Droge“ de groeimethode. Het thermische oxyde is een soort „gekweekte“ oxydelaag, in vergelijking met CVD gedeponeerde oxydelaag, heeft het een hogere uniformiteit, en de hogere diëlektrische sterkte, het is een uitstekende diëlektrische laag als isolatie. In de meeste silicium gebaseerde apparaten, speelt de thermische oxydelaag een belangrijke rol om de siliciumoppervlakte te pacificeren om als het smeren van barrières en als oppervlaktediëlektrica te handelen. wij verstrekken thermisch oxydewafeltje in diameter van 2“ aan 12“, kiezen wij altijd eerste rang en siliciumwafeltje zonder gebreken als substraat voor het kweken van de hoge laag van het uniformiteits thermische oxyde om aan uw specifieke vereisten te voldoen. Contacteer ons voor verdere informatie op prijs & levertijd.

Thermisch Oxydevermogen

Typisch na thermisch oxydatieprocédé, zowel hebben de voorkant als de achterkant van siliciumwafeltje oxydelaag. Voor het geval dat slechts één zijoxydelaag wordt vereist, kunnen wij oxyde terug verwijderen en één zij thermisch oxydewafeltje voor u aanbieden.
 

De thermische Toepassing van het Oxydewafeltje