|
Productdetails:
|
| Materiaal: | Aluminiumnitride (AlN), Siliciumcarbide | grootte: | Aangepast |
|---|---|---|---|
| Eigenschappen: | uitstekende slijtageweerstand; chemische traagheid; geen het malen in het te verpletteren product; l | Kleur: | Witte zwarte, |
| Markeren: | De Technische Ceramische Delen van Ce,Ceramische het Draadtrekkencomponenten van Ce,Componenten van het AlN de Ceramische Draadtrekken |
||
Technische keramiek voor draadproductie en de kabelindustrie
Het gebruiken ging technische keramiek vooruit, helpen wij telegraferen en de kabelfabrikanten drukken kosten en verbeteren opbrengsten met componenten van het duurzamere, hoog-prestaties de ceramische draadtrekken. Voor vier decennia, hebben wij superieure kwaliteitskaapstanders, katrollen, en rollen voor draadtrekken geleverd — van staafanalyse aan ultra-fine materiaal van de draadverwerking.
Verwante Gegevens
| Belangrijkst onderdeel | 99%Al2O3 | S-sic | ZrO2 | Si3N4 | ||
| Fysiek Bezit |
Dichtheid | g/cm3 | 3.9 | 3.1 | 6 | 3.2 |
| Waterabsorptie | % | 0 | 0,1 | 0 | 0,1 | |
| Sintertemperatuur | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
| Mechanisch Bezit |
Rockwell-Hardheid | HV | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
| Krommingssterkte | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
| Compressieintensiteit | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
| Thermisch Bezit |
Het maximum werken temperatuur |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
| thermische uitbreiding coëfficiënt 0-1000°C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6 (0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6 (0-500°C) | |
| 5.2*10-6 (500-1000°C) | 4.0*10-6 (500-1000°C) | |||||
| Thermische Schokweerstand | T (°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
| Warmtegeleidingsvermogen | W/m.k (25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
| 300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
| Elektro Bezit |
Het verzetten vanzich tegen tarief van Volume | ◎.cm | ||||
| 20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
| 100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
| 300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
| Isolatieanalyse Intensiteit |
KV/mm | 18 | halfgeleider | 9 | 17.7 | |
| Diëlektrische Constante (1 Mhz) | (e) | 10 | – | 29 | 7 | |
| Diëlektrische Dissipatie | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – | |
Voordelen:
Hoofdtoepassingen:
Materialen: het zirconiumdioxyde (ZrO2), alumina (Al2O3), siliciumnitride (Si3N4), cementeerde carbide, ceramische samenstellingen.
Contactpersoon: Daniel
Tel.: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196
