|
Productdetails:
|
Materiaal: | Siliciumnitride Si3N4 | Grootte: | Aangepast |
---|---|---|---|
Kleur: | Zwart | EIGENSCHAPPEN: | hoge hardheid; hoge corrosieweerstand; lage dichtheid; stabiliteit in een brede waaier van temperatu |
Markeren: | Het Stootbordbuis van het siliciumnitride,Siliciumnitride Si3N4,Si3N4 Stootbordbuis |
Voordelen:
wegens de hoogte - de dichtheid met lage poreusheid, stabiliteit op hoge temperatuur, uitstekende weerstand tegen thermische schok en uitstekende corrosieweerstand, het materiaal van het siliciumnitride heeft een zeer brede toepassingsvooruitzichten in de industrie van het gietvormaluminium op materiaaldelen. Momenteel, heeft Ons bedrijf zich andproduced reeks het nitride ceramische producten van het hoge prestatiessilicium voor de gegoten aluminiumindustrie gebruikend, met inbegrip van het stootbordbuis van het siliciumnitride, de buis van de de verwarmerbescherming van het siliciumnitride, de roterende schacht, rotor en siliciumbuis van de nitridebescherming voor thermokoppel, etc… ontwikkeld.
De Verwante Gegevens van het siliciumnitride
Belangrijkst onderdeel | 99%Al2O3 | S-sic | ZrO2 | Si3N4 | ||
Fysiek Bezit |
Dichtheid | g/cm3 | 3.9 | 3.1 | 6 | 3.2 |
Waterabsorptie | % | 0 | 0,1 | 0 | 0,1 | |
Sintertemperatuur | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Mechanisch Bezit |
Rockwell-Hardheid | HV | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Krommingssterkte | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Compressieintensiteit | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Thermisch Bezit |
Het maximum werken temperatuur |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
thermische uitbreiding coëfficiënt 0-1000°C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6 (0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6 (0-500°C) | |
5.2*10-6 (500-1000°C) | 4.0*10-6 (500-1000°C) | |||||
Thermische Schokweerstand | T (°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Warmtegeleidingsvermogen | W/m.k (25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Elektro Bezit |
Het verzetten vanzich tegen tarief van Volume | ◎.cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
Isolatieanalyse Intensiteit |
KV/mm | 18 | halfgeleider | 9 | 17.7 | |
Diëlektrische Constante (1 Mhz) | (e) | 10 | – | 29 | 7 | |
Diëlektrische Dissipatie | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – |
Contactpersoon: Daniel
Tel.: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196