|
Productdetails:
|
Toepassing: | Hoge machtsapparaat Optoelectronic epitaxy van apparatengan apparaat Lichtgevende diode | Diameter: | Ø 1“/Ø 2“/Ø 3“/Ø 4“/Ø 6“ |
---|---|---|---|
Dikte: | 330 um~ 350 um | Rang: | Productierang/Onderzoekrang |
Markeren: | Opto-elektronisch apparaat SiC Wafer,SiC-wafer voor lichtdioden |
SIC Wafeltje
Het halfgeleiderwafeltje, Inc. (SWI) verstrekt sic hoogte - het wafeltje van het kwaliteits enige kristal (Siliciumcarbide) aan de elektronische en optoelectronic industrie. Sic is het wafeltje een materiaal van de volgende generatiehalfgeleider, met unieke elektrische eigenschappen en de uitstekende thermische eigenschappen, in vergelijking met siliciumwafeltje en GaAs wafeltje, sic wafeltje zijn geschikter voor machts van het op hoge temperatuur en de toepassing hoge apparaat. Sic kan het wafeltje in diameter 2 duim worden geleverd, zowel 4H als 6H sic, gesmeerd n-Type, Stikstof, en semi-insulating beschikbaar type. Tevreden om ons voor meer productinformatie te contacteren.
Sic Wafeltjetoepassing
Hoge frequentieapparaat | Apparaat op hoge temperatuur |
Hoge machtsapparaat | Optoelectronic apparaat |
GaNepitaxy apparaat | Lichtgevende diode |
Sic Wafeltjeeigenschappen
Polytype | 6H-sic | 4H-sic |
Kristal die opeenvolging stapelen | ABCABC | ABCB |
Roosterparameter | a=3.073A, c=15.117A | a=3.076A, c=10.053A |
Band-Gap | 3.02 eV | 3.27 eV |
Diëlektrische constante | 9.66 | 9.6 |
Brekingsindex | n0 =2.707, Ne =2.755 | n0 =2.719 Ne =2.777 |
Productspecificatie
Polytype | 4H / 6H |
---|---|
Diameter | Ø 2“/Ø 3“/Ø 4“ |
Dikte | 330 um~ 350 um |
Richtlijn | Op as <0001> /van as <0001> van 4° |
Geleidingsvermogen | N - type/Semi-insulating |
Additief | N2 (Stikstof)/V (Vanadium) |
Weerstandsvermogen (4h-n) | 0,015 ~ 0,03 ohm-cm |
Weerstandsvermogen (6h-n) | 0,02 ~ 0,1 ohm-cm |
Weerstandsvermogen (Si) | > 1E5 ohm-cm |
Oppervlakte | Opgepoetste CMP |
TTV | <> |
Boog/Afwijking | <> |
Rang | Productierang/Onderzoekrang |
Contactpersoon: Daniel
Tel.: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196