logo
  • Dutch
Thuis ProductenTechnische Ceramische Delen

Opto-elektronisch apparaat SiC-wafer voor lichtdioden

Ik ben online Chatten Nu

Opto-elektronisch apparaat SiC-wafer voor lichtdioden

Opto-elektronisch apparaat SiC-wafer voor lichtdioden
Opto-elektronisch apparaat SiC-wafer voor lichtdioden

Grote Afbeelding :  Opto-elektronisch apparaat SiC-wafer voor lichtdioden

Productdetails:
Plaats van herkomst: China
Merknaam: ZG
Certificering: CE
Modelnummer: Lidstaten
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: 1 stuk
Prijs: USD10/piece
Verpakking Details: Sterke houten doos voor het globale verschepen
Levertijd: 3 werkdagen
Betalingscondities: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 10000 Stukken per Maand

Opto-elektronisch apparaat SiC-wafer voor lichtdioden

beschrijving
Toepassing: Hoge machtsapparaat Optoelectronic epitaxy van apparatengan apparaat Lichtgevende diode Diameter: Ø 1“/Ø 2“/Ø 3“/Ø 4“/Ø 6“
Dikte: 330 um~ 350 um Rang: Productierang/Onderzoekrang
Markeren:

Opto-elektronisch apparaat SiC Wafer

,

SiC-wafer voor lichtdioden

 

 

SIC Wafeltje

 

Het halfgeleiderwafeltje, Inc. (SWI) verstrekt sic hoogte - het wafeltje van het kwaliteits enige kristal (Siliciumcarbide) aan de elektronische en optoelectronic industrie. Sic is het wafeltje een materiaal van de volgende generatiehalfgeleider, met unieke elektrische eigenschappen en de uitstekende thermische eigenschappen, in vergelijking met siliciumwafeltje en GaAs wafeltje, sic wafeltje zijn geschikter voor machts van het op hoge temperatuur en de toepassing hoge apparaat. Sic kan het wafeltje in diameter 2 duim worden geleverd, zowel 4H als 6H sic, gesmeerd n-Type, Stikstof, en semi-insulating beschikbaar type. Tevreden om ons voor meer productinformatie te contacteren.

 

Sic Wafeltjetoepassing

 

Hoge frequentieapparaat Apparaat op hoge temperatuur
Hoge machtsapparaat Optoelectronic apparaat
GaNepitaxy apparaat Lichtgevende diode

 

Sic Wafeltjeeigenschappen

 
Polytype 6H-sic 4H-sic
Kristal die opeenvolging stapelen ABCABC ABCB
Roosterparameter a=3.073A, c=15.117A a=3.076A, c=10.053A
Band-Gap 3.02 eV 3.27 eV
Diëlektrische constante 9.66 9.6
Brekingsindex n0 =2.707, Ne =2.755 n0 =2.719 Ne =2.777

Productspecificatie

 
Polytype 4H / 6H
Diameter Ø 2“/Ø 3“/Ø 4“
Dikte 330 um~ 350 um
Richtlijn Op as <0001> /van as <0001> van 4°
Geleidingsvermogen N - type/Semi-insulating
Additief N2 (Stikstof)/V (Vanadium)
Weerstandsvermogen (4h-n) 0,015 ~ 0,03 ohm-cm
Weerstandsvermogen (6h-n) 0,02 ~ 0,1 ohm-cm
Weerstandsvermogen (Si) > 1E5 ohm-cm
Oppervlakte Opgepoetste CMP
TTV <>
Boog/Afwijking <>
Rang Productierang/Onderzoekrang

 

Contactgegevens
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Contactpersoon: Daniel

Tel.: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)